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Wind turbines for high-power producing components and devices

能效和可靠性

加快绿色、清洁可再生、高效和大功率产生组件和设备的设计。

当今世界瞬息万变,对有限的能源资源进行管理变得更加重要。碳化硅 (SiC) 和氮化镓(GaN)等宽带隙半导体技术的进步正在促成清洁、可再生和可靠的能源生态系统的发展,但也给工程师带来了新的挑战。工程师可依靠米乐m6网页版登录入口提供的测量解决方案,应对今天和未来的电气化生态系统挑战。 

探索适用于研发和验证用途的 SiC 和 GaN 功率半导体解决方案

Wide bandgap semiconductor materials research

宽禁带半导体材料研究

WBG 材料是提高 SiC 和 GaN 性能以加快开关速度、提高功率密度、进行高温操作、确保可靠性以及优化尺寸和成本的持续挑战的核心。
4200A-SCS for characterizing wide bandgap semiconductors

检定宽禁带设备

要了解 SiC 或 GaN 设备的基本特性和电气性能,需要精确的电压和电流测量。
iv characterization

I-V 检定

I-V 检定是测量电子设备电流与电压关系的过程。它对于设备测试和优化以及开发宽禁带半导体至关重要。
AFG31000 for double pulse testing

双脉冲测试

双脉冲测试是用于测量 MOSFET 和 IGBT 功率设备的开关参数的标准方法。在以前,设置双脉冲测试非常耗时,因为函数发生器没有内置的方式来配置和设置测试。
wide bandgap devices

验证宽禁带设备

设计新的 SiC 和 GaN 设备时,需要在设计和生产阶段进行大量测试,以便推动工艺改进、提高产量和降低成本。与传统硅相比,测试 WBG 功率设备需要更好的分辨率、更高的功率和更快的速度。
Validating Power Management ICs

验证电源管理 IC

电源管理设备是“无名英雄”,它们是支持电子系统在幕后安全正常运行的重要组件。