5G、汽车和能源系统对碳化硅和氮化镓的需求正在上升

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正在迈出向碳化硅和氮化镓的重大“电源”转变吗？

新的大功率半导体设备正将仪器的性能挤压到极限

碳化硅和氮化镓如何改变行业

iSiC 和氮化镓的应用范围很广，包括功率电子产品、高频电子设备、LED 以及航空航天和国防。它们正在推动这些领域开发更高效、更先进的技术，并推动创新和进步。

使用吉时利 KickStart 软件和 2470 高电压 SourceMeter® 源测量单元 (SMU) 进行反向击穿电压测试。

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反向击穿电压测试演示

2470 高压半导体设备的击穿和漏电流测量

评估击穿电压以确保可靠性

在击穿电压测试中，通常会对设备施加不断增加的电压水平，直到其电气绝缘性能出现故障。击穿电压可以使用专门的测试设备和程序进行测量，并且可能取决于多种因素，例如材料的特性、厚度和设备的几何形状。

击穿电压测试是确保电气和电子设备可靠性和性能的重要程序。

4200A-SCS 参数分析仪显示 MOSFET 阈值电压。

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MOSFET 的七大检定测试

简化 MOSFET-MOSCAP 设备检定的提示和技巧

使用 MOSFET 轻松切换和放大电路

MOSFET 或金属氧化物半导体场效应晶体管是现代工程设计中最常用的电子元件之一。MOSFET 凭借其高效和多功能性，使电路能够变得更小、更高效，这在现代电子产品中至关重要，从而彻底改变了电子工程。随着 MOSFET 在今天的电子设备中越来越重要，对其进行精确的测量就显得尤为重要。测量 MOSFET 通常涉及确定其电气特性，例如电阻、电容和电流电压 (I-V) 曲线。工程师使用各种技术和仪器来测量 MOSFET 的性能，这使他们能够优化电路设计并确保可靠运行。