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    功率半导体双脉冲 测试分析
    引言 在汽车和工业应用中,由于硅基半导体性能的局限性, 功率电子中使用的半导体材料正逐渐从硅过渡到如碳 化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这类宽禁带半导体。GaN 和SiC 支持更小、更快、更高效的设计。规制和经济压 力持续促使高压功率电子设计的效率提高。在空间受限 和/ 或移动应用(例如电动汽车)中,更小、更轻的设计 的功率密度优势尤为明显,而从系统成本降低的角度来 看,更紧凑的功率电子设备也普遍受到青睐。同时,随着 政府推出财政激励措施和更严格的能效规定,效率的重 要性日益增长。例如 …
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    Double Pulse Testing Solution for Wide Bandgap Power Semiconductors
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